刻蚀机和光刻机的区别

刻蚀机和光刻机的区别如下：

1.不同的技术：蚀刻机蚀刻掉硅片的剩余部分，而光刻机在硅片上蚀刻图案。

2.不同难度：光刻机的难度和精度都比蚀刻机大。

等离子刻蚀机又称等离子刻蚀机、等离子平面刻蚀机、等离子刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子蚀刻是最常见的干蚀刻形式。其原理是暴露于电子区域的气体形成等离子体，由此产生的离子化气体和由高能电子组成的气体被释放，从而形成等离子体或离子。当电离的气体原子被电场加速时，会释放足够的力，使材料与表面排斥力紧密结合或腐蚀表面。在某种程度上，等离子体清洗实际上是等离子体蚀刻的一个微小条件。干法刻蚀工艺设备包括反应室、电源和真空部分。工件被送入由真空泵抽空的反应室。气体被引入并与等离子体交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体蚀刻过程实际上是一个反应等离子体过程。